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C41 TBD pF；5％；C0G；0603 6。8pF；5％；C0G；0603 — —
C42 TBD pF；5％；C0G；0603 8。2pF；5％；C0G；0603 10pF；5％；C0G；0603 10pF；5％；C0G；0603
C171 18 pF；5％；C0G；0603 18pF；5％；C0G；0603 18pF；5％；C0G；0603 18pF；5％；C0G；0603
C181 18 pF；5％；C0G；0603 18pF；5％；C0G；0603 18pF；5％；C0G；0603 18pF；5％；C0G；0603
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·240 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
续表
项目 315MHz 433MHz 868MHz 915MHz
L32 TBD nH；10％；0805 68nH；10％；0805 12nH；10％；0805 12nH；10％；0805
（线圈形式0805CS…680XKBC） （线圈形式0805HQ…2N5XKBC） （线圈形式
0805CS…120XKBC）
L41 TBD nH；10％；0805 6。2nH；10％；0805 2。5nH；10％；0805 2。5nH；10％；0805
（线圈形式0805HQ…6N2XKBC） （线圈形式0805HQ…2N5XKBC） （线圈形式
0805HQ…2N5XKBC）
L101 TBD nH；5％；0805 27nH；5％；0805 3。3nH；5％；0805 3。3nH；5％；0805
（Koa KL732ATE27NJ） （koa KL732ATE3N3C） （koa KL732ATE3N3C）
R131 82kOhm；1％；0603 82kOhm；1％；0603 82kOhm；1％；0603 82kOhm；1％；0603
XTAL 14。7456MHz 晶振， 14。7456MHz 晶振 14。7456MHz 晶振 14。7456MHz 晶振
16pF 负载 16pF 负载 16pF 负载 16pF 负载
图3。8。3 CC1010 应用电路图
为使用户在不同应用中得到最好的性能，可以通过设置可编程的组态寄存器的状态来实
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第3 章 射频收发器芯片原理与应用电路设计 ·241 ·
现。在可编程的组态寄存器中，下面所示的一些关键参数能够被编程：
z 接收和发射模式；
z RF 输出功率电平；
z 频率合成关键参数（RF 输出频率，FSK 调制频率分离偏差，晶振基准频率）；
z 低功耗模式；
z 基准振荡器在低功耗模式中启动或关闭；
z 数据速率和数据形式选择等等。
Chipcon pononts 公司提供给CC1010 用户一个Smart RF Studio （Windows 界面）的
软件，Smart RF Studio 将根据用户的不同选择，产生设置CC1010 工作状态所需的数据。这
些数据必须输入到微控制器中，通过编程输入到CC1010 的可编程的组态寄存器中，完成对
CC1010 工作状态的设置。另外Smart RF Studio 将提供给用户PLL 回路和输入/输出匹配电
路所需的元件参数。Smart RF Studio （Windows 界面）的编程界面如图3。8。4 所示。
图3。8。4 Smart RF Studio 的编程界面
射频输入/输出匹配网络图如图3。8。5 所示。不同频率范围的参数值如表3。8。4 所示。
图3。8。5 射频输入/输出匹配网络图
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·242 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
表3。8。4 射频输入/输出匹配网络参数值
项目 315MHz 433Mhz 868MHz 915MHz
C31 TBDpF；5％；C0G；0603 15pF；5％；C0G；0603 10pF；5％；C0G；0603 TBDpF；5％；C0G；0603
C41 TBDpF；5％；C0G；0603 8。2pF；5％；C0G；0603 — —
C42 TBDpF；5％；C0G；0603 5。6pF；5％；C0G；0603 4。7pF；5％；C0G；0603 TBDpF；5％C0G；0603
L32 TBDnH；10％；0805 68nH；10％；0805 120nH；10％；0805 TBDnH；10％；0805
（线圈形式0805CS…680XKBC） （线圈形式0805CS…121XKBC）
L41 TBDnH；10％；0805 6。2nH；10％；0805 2。5nH；10％；0805 TBDnH；10％；0805
（线圈形式0805HQ…6N2XKBC） （线圈形式0805HQ…2N5XKBC）
RSSI 电路如图3。8。6 所示，图中电阻R281 取值27kOhm，电容C281 取值1nF，RSSI 电压
范围为0～1。2V。
图3。8。6 RSSI 电路
晶体振荡器电路如图3。8。7 所示，元件参数如表3。8。5 所示。
图3。8。7 晶体振荡器电路
表3。8。5 晶体振荡器电路元件参数
项 目 C =12pF C =16pF C =22pF
L L L
C171 6。8pF 15pF 27pF
C181