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·204 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
图3。4。6 元器件布局与印制板图
3。5 433/870/915MH FSK 收发器芯片XE1202 的原理
与应用电路设计
3。5。1 概述
XE1202 是将无线发射与接收功能集成在单一芯片上的射频收发芯片，芯片内集成了射
频发射、射频接收、PLL 合成、FSK 调制等电路，具有高速率、超低功耗等功能。可工作在
433MHz 、870MHz 和915MHz ISM 频带，其数据传输速率可达76。8kb/s 。XE1202 采用连续
相位的2 级移频键控（CPFSK ）方式。XE1202 的接收部分集成有低噪声放大器（LNA ）和
下变频器，采用直接变频方式，具有滤波通道和接收用的解调器，微控制器接口可直接对数
据进行处理，并可以产生同步数据时钟（CLKD ）。XE1202 的发射部分可提供一个完整的通
道，完成从数据到天线的传送，该部分带有一个可对频偏进行编程的直接上变频器，并可对
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第3 章 射频收发器芯片原理与应用电路设计 ·205 ·
RF 输出功率进行控制。芯片具有3 线总线接口，可通过3 线总线以及外部引脚来设置传输状
态，仅需极少的外部元件（天线匹配网络、振荡电路、SAW 振荡器）即可完成接收和发射的
双重功能。发射功率也可以通过总线来控制。XE1202 符合I…ETS300…220 标准。
3。5。2 主要技术指标
XE1202 的主要技术指标如表3。5。1 所示。
表3。5。1 XE1202 的主要技术指标
参数 最小值 典型值 最大值 单位
电源电压 2。7 3。3 3。6 V
接收电源电流 12 13。5 mA
发射电源电流 33 48 mA
待机电流 0。2 1 uA
频率范围 300 500 MHz
发射输出功率 0 15 dBm
射频灵敏度 …99 …113 dBm
射频输入阻抗 1/4 kOhm/pF
射频输出阻抗 2。4 pF
最大接收输入电平 …20 dBm
基带滤波器带宽 250 330 410 kHz
晶振频率 39 MHz
本机振荡器漂移 …4 ppm/ ℃
通过3 线总线可编程的频偏 ±4 ±200 kHz
通过3 线总线可编程的数据速率 4 64 kb/s
数字输入/输出低电平 0 0。25VDD V
数字输入/输出高电平 0。75 V
DD
时钟唤醒时间 2 3。5 ms
接收器唤醒时间 100 150 us
发射器唤醒时间 100 150 us
数据设置时间 125 ns
接收到发射转换时间 15 25 us
发射到接收转换时间 60 75 us
SC 总线时钟上升时间 50 ns
SC 总线时钟下降时间 50 ns
SC 总线时钟频率 4 MHz
3。5。3 芯片封装与引脚功能
XE1202 采用TQFP －44 封装，如图3。5。1 所示，各引脚功能如表3。5。2 所示。
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·206 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
图3。5。1 XE1202 引脚封装形式
表3。5。2 XE1202 引脚功能
引脚 符号 功 能
1 MODE（1） 发射/接收/待机/睡眠模式选择
2 MODE（0） 发射/接收/待机/睡眠模式选择
3 EN 使能
4 VSSF 模拟地
5 RFA 射频输入
6 RFB 射频输入
7 VSSP 功率放大器地
8 VSSP 功率放大器地
9 RFOUT 射频输出
10 VDDP 功率放大器电源
11 TVCO 测试输入（正常工作时连接到VSS ）
12 VDDF 模拟电源电压
13 TKA VCO 谐振回路
14 TKB VCO 谐振回路
15 VSSF 模拟地
16 LFB PLL 回路滤波器