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·290 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
表4。4。2 MAX2102/ MAX2105 的典型应用电路元器件参数
符号 数量 参数
B1~B5 5 表面安装式磁芯Panasonic EXC…CL3216U
C1,C9 2 47uF; 10V; ±20% 电解电容PanasonicECE…V1AA47OP
C2,C3,C8,C11 4 0。1uF; 50V(min);10%陶瓷电容
C4~C7,C14,C15 6 22pF; 50V(min);10%陶瓷电容
C10,C12 2 10pF; 50V(min);10%陶瓷电容
C13,C16 2 10pF; 50V(min);10%陶瓷电容
C17,C19,C21,C22 4 100pF; 50V(min);10%陶瓷电容
C20 1 10uF; 16V; 20%钽电容AVX TUJC106M106
C26,C27 2 0。22uF; 50V(min); 10%陶瓷电容
J1 ,J3 2 BNC 连接器
JW ,J4 ,J5 3 边端SMA 连接器
J6 1 探针式连接器
3 端子连接器
JU2 ,JU3 2
分流器
R1 ,R7 2 47Ohm,5% 电阻
R3 ,R13 2 开路
R4 ,R16 2 51Ohm,5% 电阻
R6 1 2kOhm,5% 电阻
R8 ,R10 2 22Ohm,5% 电阻
R11 ,R12 2 56Ohm,5% 电阻
R15 1 100Ohm,5% 电阻
R17 1 4。7Ohm,5% 电阻
U1 1 Maxim MAX2102CWI(28…pin SO)
None 1 MAX2102 电路板
None 1 MAX2102 数据手册
(a )印制板元器件布局图
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第4 章 无线通信射频前端芯片的原理与应用电路设计 ·291 ·
(b )印制板元器件焊接面
(c )印制板电源板面
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·292 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
(d )印制板底板面
图4。4。3 应用电路印制板图
当频率合成器带有预标定器时,通过将MAX2102/ MAX2105 的PSGND 引脚浮空,关闭
MAX2102/ MAX2105 内部预标定器。需要采用 MAX2102/ MAX2105 的预标定器时,将
PSGND 接地。也可以用MOS FET 开关控制PSGND 引脚,打开或关闭预标定器,选用MOS
FET 的吸取电流要能达到 15mA。预标定器输出PSOUT 需外接2kOhm下拉电阻,可驱动典型
CMOS 负载(10 kOhm并联5pF )。MAX2102/ MAX2105 的I、Q 通道输出基带信号摆幅大于2V ,
能够驱动100Ohm负载。在直接变换型调谐器中,由于采用宽带I/Q 下变频器,系统需对下变频
后的信号做滤波处理,以消除A/D 转换器的混叠失真,IOUT 、QOUT 与5 阶或7 阶低通滤
波器采用交流耦合方式连接,低通滤波器的电感、电容可参考手册的推荐值(见表4。4。3 )进
行选择。一般滤波后的信号在送入 A/D 转换器前还需进行放大,可选用双视频放大器(如
MAX4216 )放大I、Q 基带信号;另外,Maxim 公司的A/D 转换器MAX1002/ MAX1005 内
部带有前置放大器,最小转换信号幅度(峰…峰值)为125mV,比较适合此类应用。
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第4 章 无线通信射频前端芯片的原理与应用电路设计 ·293 ·
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·294 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
表4。4。3 低通滤波器元件值选择表
ADC 采样 RS C1 L1 C2 L2 C3 L3 C4 RL
滤波器类型
速率Msps /Ohm /pF /nH /pF /nH /pF /nH /PF /kOhm
40 0。1dB Chebyshev;
100 39 910 120 1500 150 1500 120 10
f C=20MHz
60 0。1dB Chebyshev;
100 22 620 82 910 100 1000 82 10
f C=30MHz
90 0。1dB Chebtyshev;
100 18 390 56 620 68 680 56 10
f C=45MHz
4。5 WCDMA 与GSM900 双频双模手机射频单元
4。5。1 概述
1.WCDMA 手机收发通道基本指标
WCDMA 手机发射通道基本指标与要求是:频段1 920MHz~1