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负载电阻的大小被设计为1M 或更大。
引脚27 ：DEMOD IN ，调频解调器输入。
引脚28 ：IF2 OUT ，中频输出。
引脚29 ：VCC6 ，用于提供直流偏压对第二个中频放大器；解调器和数据限幅器，一个中
频旁路电容应与管脚直接相连并接地，10。7MHz 中频使用一个10nF 电容。
引脚30 ：RESNTR＋ ，用于提供直流电压对压控振荡器，也调谐压控振荡器的频率中心，
等值的电感应该与管脚31 相连。
引脚31 ：RESNTR…，见引脚30 。
引脚 32：VCC2 ，用于对压控振荡器，预定标器，锁相环提供直流偏压，一个射频旁路
电容应直接连接该管脚或接地。
引脚33 ：GND4，压控振荡器，预定标器，锁相环地。
引脚34 ：MOD IN ，调制输入。
引脚 35 ：DIV CTRL ，用于选择设计的预定标器的分频系数，一个逻辑高选择为 64/65
除数，一个逻辑底选择为128/129 的除数。
引脚36 ：MOD CTRL ，用来选择调制预定标器，一个逻辑高预定标器除数选择为64 或
128，一个逻辑低预定标器选择为65 或129。
引脚37 ：OSC SEL 这个管脚的逻辑高电平，接通基准振荡器2 和关闭基准振荡器1； 逻
辑低电平用于接通基准振荡器1 和关闭基准振荡器2 。
引脚38 ：OSC B2，直接连接基准晶体振荡器2 。
引脚39 ：OSC E，直接连接基准振荡器晶体管的发射极。
引脚40 ：OSC B1，直接连接基准振荡器晶体管的基极。
引脚41 ：LOOP FLT 充电泵的输出，输出控制压控振荡器的电压，一个接地的阻容网络
可以用于设置锁相环的带宽。
引脚42 ：VREF P ，对预定标器的基准电压，连接一个33uF 的电容器接地。
引脚43 ：LOCK DET ，输出指示锁相环的锁相状态。
引脚44 ：VCC1 ，LNA 混频器提供直流偏压，一个旁路射频电容接地，对915MHz 应用
需要一个22pF 的电容，433MHz 应用需要68pF 的电容。
引脚45 ：PRESCL OUT ，双模双分预定标器的输出。
引脚46 ：VCC3 ，用来提供功率放大器直流偏压，一个RF 旁路电容应该直接的与地相
连，915MHZ 的应用需要22pF 的电容，433MHz 的应用需要一个68pF 的电容。
引脚47 ：LVL ADJ ，用于改变收发器输出功率。
引脚48 ：PLL ENABL ，PLL 使能控制。
芯片工作原理参见RF2945 。
3。11。4 模块内部电路
RD0300 模块内部电路如图3。11。3 所示，印制板图如图3。11。4 所示。
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第3 章 射频收发器芯片原理与应用电路设计 ·263 ·
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·264 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
（a ）元器件布局图
（b ）印制板元器件面
图3。11。4 DR0300 模块印制板图
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第4 章 无线通信射频前端芯片的原理
与应用电路设计
4。1 蓝牙无线收发器芯片SiW1701 的原理与应用电路设计
4。1。1 概述
SiW1701 无线电调制解调器是 Silicon Wave's OdysseyTM 公司推出的用来解决蓝牙
BluetoothTM无线通信的专用IC 。SiW1701 IC 包含有一个符合蓝牙规格的2。4GHz 无线电收发
器、GFSK 调制解调器和数字控制功能电路。SiW1701 可用来与SiliconWave's OdysseyTM公司
SiW1750/1760 Link Controller （链接控制器）IC 或者其他兼容的IC 组合构成蓝牙无线通信产
品。SiW1701 完全符合蓝牙 1。1 规格，适合2 级或3 级发射功率分类，或者有外部电路的一
级功率分类。直接转换的无线电结构与集成的 VCO 和频率合成器只需要很少的外部组件。
频率范围为2 400MHz～2 800MHz，接收机灵敏度为…80dBm～…85 dBm，射频输出发射功
率为…4～＋4dBm 。集成的模拟/数字转换电路转换在无线电和GFSK 调制解调器之间的I/O 信
号。GFSK 调制解调器包含有数字调制器、信道滤波器、AFC （自动频率控制）、码元时限校
正和比特限制器。集成的0dBm 发射激励器（末级前置放大器），有8 个输出功率等级控制。
通过数字接口可与蓝牙控制器 IC 直接接口。对功耗进行了优化设计，睡眠模式电流消耗为
7uA～90uA 。工作温度为…40°C～＋85°C 。
SiW1701 无线电解调器适合所有需要一个无线电连接的应用，它是应用于蓝牙无线技术、
低功率和高性价比的方案。可应用于手持移动电话、办公电脑、笔记本电脑和打印机，PDA
（个人数字助理）、个人备忘记事本和多媒体设备，数字相机和游戏手柄，遥控车锁等系统中。
4。1。2 主要技术指标
SiW1701 的主要技术指标如表4。1。1～表4。1。8 所示。
表4。1。1 SiW1701 芯片使用极值
参 数 说 明 最 小 最 大 单 位
电源电压
VCC；VDD …0。5 3。6 V
注释：除VCC_BATT 外
ESD ESD 保护…模拟/射频引脚 500 V
ESD 保护…数字引脚 2 000 V
TST 存储温度 …55 ＋125 ℃
Tj 焊接温度 125 ℃
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·266 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
表4。1。2 推荐使用环境
参 数 说 明 最 小 最 大 单 位
TOP 工作温度 …40 ＋85 ℃
VCC VCC 模拟电源电压 2。7 3。3 V
VDD