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·118 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
续表
符 号 尺 寸 数 值 数 值 误 差
R1 0805 10kOhm 10kOhm ±10％
R2 0805 390Ohm 390Ohm ±5％
R3 0603 100kOhm 100kOhm ±5％
RL1 0805 470Ohm 470Ohm ±5％
RL2 0805 470Ohm 470Ohm ±5％
L1 0603 56nH 33nH ±5％
L2 0603 56nH 33nH ±5％
L3 0603 22nH 15nH ±5％
C_RO 0805 330pF 330pF ±5％
XTAL HC49 20。35625MHz 26。43125MHz ±25pm 校准
SMD @RF=315MHz @RF=433。6MHz ±30ppm 温度
SAWFIL QCC8C B3555 ±100kHz
（f 0=433。92MHz） B3dB=860kHz
B3551 ±175kHz
（f 0=315。00MHz） B3dB=900kHz
CERFIL Leaded SFE10。7MFP SFE10。7MFP TBD
type @BIF2=40kHz @BIF2=40kHz
SMD SFECV10。7MJS…A SFECV10。7MJS…A ±40kHz
type @BIF2=150kHz @BIF2=150kHz
2。4 868。35 MHz OOK 接收器芯片RX6501 的
原理与应用电路设计
2。4。1 概述
RX6501 是一个单片接收器芯片，工作频率为 868。15MHz～868。55MHz，可接收数字 OOK
调制信号，数据传输速率可达 19。2kb/s，接收灵敏度为…98dBm，电源电压为 2。7～3。5V，接
收模式工作电流为 4。25mA ，睡眠模式电流为 0。75uA 。工作温度范围为…40 ℃～＋85 ℃。适合
高稳定、小尺寸、低功耗、低价格的短距离无线控制和数据传输应用。符合 ETSI I…ETS 300 220
规范和类似标准要求。发射器配套芯片为 TX6001 。
2。4。2 主要性能指标
RX6501 的主要性能指标如表2。4。1 所示。
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第2 章 射频接收器芯片原理与应用电路设计 ·119 ·
表2。4。1 RX6501 的主要性能指标
参 数 最 小 典 型 最 大 单 位
工作频率 868。15 868。55 MHz
调制类型 OOK
数据速率 1。2 19。2 kb/s
输入电流 1。65 mA
接 OOK 方式（1。2kb/s） 灵敏度 …98 dBm
睡眠模式开关时间 200 us
收 输入电流 1。65 mA
OOK 方式（2。4kb/s） 灵敏度 …95 dBm
性 睡眠模式开关时间 2 200 us
输入电流 4。25 mA
能 ASK 方式（19。2kb/s） 灵敏度 …98 dBm
睡眠模式开关时间 20 us
睡眠模式电流 0。75 uA
电源电压 2。7 3。5 V
工作温度 …40 ＋85 ℃
2。4。3 芯片封装及引脚功能
RX6501 采用 SM…20H 封装，如图 2。4。1 所示。各引脚功能分别介绍如下。
图2。4。1 RX6501 的封装形式
引脚 1：GND1，RF 地。GND2 与 GND3 采用短的导线或低感应系数的印制板导线与之
相连。
引脚 2 ：VCC1 ，接收器基带电路电源正端。它常通过一RF 去耦铁心与电源相连。电源
必须采用 RF 旁路电容。
引脚 3 ：RFA1 ，使能第 1 级 RF 放大器为高增益模式。这个引脚端通常连接到 VCC 。
引脚 4 ：NC ，空脚。
引脚 5：BBOUT ，接收器基带输出端。在BBOUT 与 CMPIN 间使用±10％陶瓷电容器，
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·120 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
通过一个