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第1 章 射频发射器芯片原理与应用电路设计 ·43 ·
表1。6。3 元器件参数表
符 号 尺 寸 数值（315 MHz 时） 数值（433。6 MHz 时） 误 差
CF1 0805 10 nF 10 nF ±10％
CF2 0805 56 pF 56 pF ±10％
CX 0805 47 pF 47 pF ±5％
C1 0805 TBD 1。8～2。2 pF ±2％
（2。5～6 pF 微调电容） （2。5～6 pF 微调电容）
C4 0805 330 pF 150 pF ±10％
C5 0805 330 pF 150 pF ±10％
C6 0805 220 nF 33 nF ±10％
C7 0603 TPD 4。7 pF ±5％
RF1 0805 1。5 kOhm 1。5 kOhm ±10％
R1 0805 24 kOhm 0Ohm ±10％
R2 0805 4。7 kOhm NIP ±10％
…6
XTAL HC49/S 9。8438 MHz 13。5500 MHz ±30×10 校准
…6
±30×10 温度
PCB 长边长度 TBD 46 mm
天线 短边长度 TBD 14 mm
线宽 2 mm 2 mm
电路中输出功率的选择通过改变R1 和 R2 的阻值实现，输出功率与 R1 和 R2 的关系如
表 1。6。4 所示。
表1。6。4 输出功率与R1 和R2 的关系
R1/kOhm 0 7。5 11 15 24 43
R2/kOhm ∞ 4。7 4。7 4。7 4。7 4。7
V /V ≥2 1。1 0。9 0。7 0。5 0。3
PS
ICC/mA 11。5 8。6 7。3 6。2 5。3 4。8
P /dBm 2 …1 …4 …7 …10 …12
o
Pharm/dBm ≤…40 ≤…40 ≤…40 ≤…40 ≤…40 ≤…50
晶体振荡器的参数如表 1。6。5 所示。
表1。6。5 晶体振荡器的参数
参 数 最 小 最 大 单 位
晶振频率 25 29 MHz
负载电容 10 15 pF
静态电容 7 pF
谐振电阻 40 Ohm
…………………………………………………………Page 715……………………………………………………………
·44 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
1。7 OOK/ASK 868。35 MHz 发射器芯片TX6001 的
原理与应用电路设计
1。7。1 概述
TX6001 是一个单片 RF 发射器芯片，工作频率为 868。15 MHz～868。55 MHz，调制类型
为 OOK/ASK，数据传输速率可达 115。2 kb/s，发射输出功率为 0。75 mW 。电源电压为2。7～
3。5 V，发射模式工作电流为 12mA，睡眠模式电流为 0。75 uA 。工作温度范围为 …40 ℃～＋85
℃。符合ETSI I…ETS 300 220 规范要求以及类似标准，适合高稳定、小尺寸、低功耗、低价
格的短距离无线控制和数据传输应用。
1。7。2 主要性能指标
TX6001 的主要性能指标如表 1。7。1 所示。
表1。7。1 TX6001 的主要性能指标
参 数 最 小 典 型 最 大 单 位
工作频率 868。15 868。35 868。55 MHz
调制类型 OOK/ASK
数据速率 115。2 kb/s
峰值电流 12 mA
峰值输出功率 0。75 mW
发射器性能