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引脚 15：VCC ，电源。
引脚 16：LF2 ，压控振荡器调谐输入，连接到回路滤波器。
1。5。4 内部结构与工作原理
TH7108 内部结构框图如图 1。5。2 所示。芯片内包含发射功率放大器（PA ）、晶体振荡
器（XOSC ）、压控振荡器（VCO ）、相频检波器（PFD ）、分频器（÷32 ）、充电泵（CP ）、
电源电路（PS ）、FSK 开关（SW ）等电路。锁相环（PLL ）合成器由压控振荡器（VCO ）、
分频器、相频检波器、充电泵和回路滤波器（LF ）组成，在LF 端外接的回路滤波器决定
PLL 的动态性能。VCO 的振荡器信号被馈送到分频器和功率放大器，分频器的分频比是
32 。晶体振荡器（XOSC ）作为 PLL 合成器的基准振荡器。射频发射功率 Po 从…12～＋2 dBm
分 6 档，可以通过改变电阻 R 或者改变在 PS 引脚端的电压 V 调节。集电极开路的差动
ps ps
输出（OUT1 ，OUT2 ）能被用来直接驱动环形天线或者通过平衡和不平衡变换器转换为
单端输出。发射器的载波频率f c 是由晶体振荡器的基准频率f ref 决定的，集成的 PLL 合成
器利用f ref = f c/N （N=32 ，分频器系数） ，保证在 310 MHz～440 MHz 的频率范围内的每一
个射频频点能够实现。
图 1。5。2 TH7107 的内部结构框图
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·34 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
晶体振荡器作为PLL 的基准振荡器。FSK 调制通过拉动晶振的频率完成。FSK 调制时，
数据流加到 DATA 端，在数据= “LOW ”（低电平）时，外接的电容器CX2 被芯片内开关连
接到与 CX1 并联，晶体振荡器的频率被设置到振荡频率的低端f min ；在数据= “HIGH ”（高
电平）时，外接的电容器 CX2 被芯片内开关断开与 CX1 的并联，晶体振荡器的频率被设置
到振荡频率的高端f max ，实现 FSK 调制。两个外接的电容器 CX1 和 CX2 允许独立的调节 FSK
的频偏和中心频率。FM 调制需要一个外接的变容二极管，作为一个电容被串接到晶体振荡
器回路中，模拟信号通过一个串联电阻直接调制晶体振荡器。ASK 调制时，数据信号直接加
PS 端，利用数据信号控制功率放大器（PA ）“导通”和“关断”，完成ASK 调制。
功率放大器（PA ）的输出功率可以通过改变PS 端的外接电阻 RPS 的数值或改变在PS 端
的电压 V 完成。集电极开路的差分输出（OUT1；OUT2 ）能直接驱动一个环形天线，或者通
PS
过一个平衡到不平衡的变换器转换为单端输出。
TH7108 模式控制逻辑如表 1。5。2 所示，模式控制允许芯片工作在四个不同的模式。模式
控制端 ENCK 和 ENTX 在芯片内部被下拉，以保证模式控制端 ENCK 和 ENTX 在浮置时，
电路被关断。
时钟输出端（CKOUT ）的输出时钟信号可用来驱动微控制器，其频率是基准振荡频率的 1/8。
表1。5。2 TH7107 控制模式
ENCK ENTX 模式 电路状态
0 0 低功耗模式 待机状态
0 1 仅有发射 仅有发射功能，时钟不可用
1 0 仅有时钟 发射在待机状态，仅有时钟可用
1 1 所有电路导通 发射和时钟可用，工作状态
1。5。5 应用电路设计
TH7107 使用 PCB 天线的应用电路如图 1。5。3 所示，其印制板元器件布局见图 1。5。4 所示，元
器件参数值如表 1。5。3 所示。使用 50 Ohm天线的应用电路如图 1。5。5 所示，元器件参数如表 1。5。4 所示。
表1。5。3 应用电路元器件参数表
符 号 尺 寸 315 MHz 数值 433。6 MHz 数值 误 差
CF1 0805 12 nF 10 nF ±10％
CF2 0805 15 pF 12 pF ±10％
CX1_FSK 0603 39 pF 39 pF ±5％
CX1_ASK 0603 68 pF 68 pF ±5％
CX2 0603 1 nF 1 nF ±10％
CX3 0603 1 nF 1 nF ±2％
C1 1206 3。9 pF 3。9 pF ±2％
C2 0805 3。9 pF 2。2 pF ±10％
C3 0603 330 pF 330 pF ±10％
C4 0603 330 pF 330 pF ±20％
C5 1206 220 pF 220 nF ±10％
L1 0603 220 pF 220 nH ±10％
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第1 章 射频发射器芯片原理与应用电路设计 ·35 ·
续表
符 号 尺 寸 315 MHz 数值 433。6 MHz 数值 误 差
L2 0603 2。0 kOhm 2。0 kOhm ±10％
RF1 0805 4。3 kOhm 4。3 kOhm ±10％
RF2 0805 56 kOhm 56 kOhm ±10％
RPS 0805 470 kOhm 470 kOhm ±10％
R1 0805 30 kOhm 30 kOhm ±10％
R2 0805 0 Ohm 0 Ohm ±10％
R3 0805 4。7 kOhm 4。7 kOhm