按键盘上方向键 ← 或 → 可快速上下翻页，按键盘上的 Enter 键可回到本书目录页，按键盘上方向键 ↑ 可回到本页顶部！
————未阅读完？加入书签已便下次继续阅读！
立式
X2 SMA…S 直立式
对于晶振的选用，应该注意的是晶振完成启动的时间小于 1 ms 。为了达到这个值，在
TDA5101 应用电路中使用 NIC 晶体振荡器，这种晶体振荡器的特性是它的输入阻抗为一个电
阻串联一个电感（见图 1。1。8）。因此，晶体振荡器的负载电容CL 可转换成电容 Cv 的形式，如：
1
C = （1。1。1）
v 1 2
＋ω L
C
L
式中，CL 为标称频率的晶振负载电容，ω为角频率，L 为晶体振荡器的电感。
图 1。1。8 晶体振荡器的输入等效电路
当电路处于ASK 模式时，C7 短接地。假设晶振频率为 9。84 MHz，晶振负载电容为20 pF ，
…………………………………………………………Page 679……………………………………………………………
·8 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
则电感 L 的电感量为 11 uH ，因而 C6 的电容为 8。2 pF。
1
（1。1。2）
C6 = =C
1 2 v
ω
＋ L
C
L
当处于FSK 模式时，FSK 调制是通过转换晶振的负载电容值来实现的。此时晶振的等效
电路如图 1。1。9 所示。
图 1。1。9 FSK 模式下晶体振荡器的等效电路
晶振的频率偏移量与锁相环的分频器系数N 相乘之后输出到功率放大器。在频率偏移量
较小时，所需的负载电容按下式计算：
2（C ＋C ）
f 0 L
CL uC0 1＋
Nf 1 C1 （1。1。3）
C =
L ±
2（C ＋C ）
f 0 L
1± 1＋
Nf 1 C1
式中，CL 为标称频率下的晶体负载电容，C0 为晶体的旁路电容，ω为角频率，N 为 PLL 的分
频系数，
f 为峰频偏移量。
由于 TDA5101 电感部分的影响，CL 的值必须由公式（1。1。1）进行修正，因而 Cv ±计算
如下：
1
C = （1。1。4）
v ± 1 2
＋ω L
C
L
如果 FSK 开关关闭，则 C …=C ；如果FSK 开关打开，则 C 计算如下：
v v1 v2
× ＋（ ＋ ）
C C C C C
C C7 sw v1 v v1 sw （1。1。5）
= =
v2
C …C
v v1
式中，Csw 为 FSK 开关的平衡电容。
CLKOUT 引脚端是集电极开路输出，外接的上拉电阻 RL 连接在这个引脚和电源之间，
RL 的数值取决于时钟频率和负载电容 CLD （PCB 板加微控制器的输入电容）。RL 的计算公式
如下：
1
R = （1。1。6）
L
8f CLKOUT CLD
上拉电阻 R2 和晶振负载电容 CL 的参数关系见表 1。1。7。
…………………………………………………………Page 680……………………………………………………………
第1 章 射频发射器芯片原理与应用电路设计 ·9 ·
表1。1。7 R 与C 的参数关系
L L
R /kOhm
L
C /pF
L
f CLKOU