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过处出现一把尺子,在终止位置点击鼠标,完成操作,按键盘“Esc”键结束命令。
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Step 42: 从 Layer 中选择“cont。dwg” 层(连接层)。
Step 43: 选择菜单 Create…》Rectangle (或点击 图标)从点 (0。2 , 0。2) 到 (0。7 , 0。7)
画一个矩形(当前光标位置显示在版图编辑窗的右下角)。
Step 44: 按 “Esc” 键结束命令。 添加完成的图形如下。
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Step 45: 这次先选择矩形, 点击菜单 Advanced…》Resize , 填写弹出的对话框信息如下。
Step 46: 点击 Ok 确认。 The met1 图形是自动创建比cont 周围大 0。2um。
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Step 47: 当然,也可以象 Step 11 一样, 用画矩形 ((0,0 )到 (0。9,0。9 ))的方式来画 met1 。
Step 48: 同样,你需要创立“Nimp。dwg”层,尺寸和 met1 相同。
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Step 49: 点击菜单 Tools…》Clear Ruler (或者点击 图标)来去除刻度。 金属和 N 型
掺杂的连接单元 mndiff 显示如下。
Step 50: 点击菜单 Design…》Save (或点击 图标)保存此单元(cellview )。
Step 51: 点击菜单 Design…》Close 关闭单元设计。
下面我们将创建反相器的 NMOS 管单元(cellview ): nmos_18。
Step 52: 同 Step 9: 确定版图刻度如下。
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Step 53: 从版图窗口的左下方选择“Nimp。dwg” 层(N 型掺杂层,画 N 管源漏区)。
Step 54: 鼠标左击菜单Create…》Rectangle (或点击 图标)从点(0, 0。3) 到点(2。6, 1。2)
画一个矩形。
Step 55: 选择 “Poly。dwg” 层(多晶硅层,画 P 管栅)。
Step 56: 鼠标左击菜单 Create…》Path (或 点击 图标), 将自动弹出下面对话框。 (如
果对话框不显示, 按 F3 键去激活。 或者打开选项 Options…》Generic…》Editor…》Auto Popup
Form)
Step 57: 填写栅极信息如下,Path 的宽即为栅长L。
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Step 58: 从点(1。3, 1。5) 到 (1。3 , 0。0) 用 “Poly。dwg”层画一条路径。 双击结束命令。
Step 59: 选择菜单 Create…》Instance (或者点击 图标)两次调用一个 1 行 1 列的子
单元(即为刚才创建的 mndiff 子单元)。
Step 60: 在弹出的对话框中填写下面的信息(注意:Cell Name 为刚才创建的 mndiff 子单
元)。
Step 61: 光标移回版图编辑区。
Step 62: 子单元显示在光标处。 左击点(0。0, 0。3) 放置子单元。
Step 63: 左击点 (1。7 , 0。3) 再次放置这些单元。
Step 64: 按 “Esc” 结束命令。
Step 65: 点击 图标清除尺。
Step 66: 保存、关闭 NMOS 单元。。
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创建反相器版图
下面, 我们新建一个反相器版图,将调用刚才建立的 PMOS 、NMOS 单元,并画出其余
部分,最后将构成完整的反相器版图。
Step 67: 在设计环境 ZDMW 中,右击库“PLL ”选择创建新的子单元 “New View” 。
Step 68: 创建反相器版图“*inv”。
Step 69: 设置标尺如下。
Step 70: 点击 图标添加 “*pmos_18”单元,填写信�